近期有消息称台积电在3nm工艺开发上取得突破,第二版3nm制程的N3B会在今年8月份率先投片,第三版3nm制程的N3E的量产时间可能由原来的2023年下半年提前到2023年第二季度。
同时TomsHardware报道,本周台积电总裁魏哲家证实,N2制程节点将如预期那样使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管,,制造的过程仍依赖于现有的极紫外(EUV)光刻技术。预计台积电在2024年末将做好风险生产的准备,并在2025年末进入大批量生产,客户在2026年就能收到首批2nm芯片。
魏哲家认为,台积电N2制程节点在研发上已走上正轨,无论晶体管结构和工艺进度都达到了预期。
随着晶体管变得越来越细小,台积电采用新工艺技术上的速度也变慢了,以往大概每两年就会进入一个新的制程节点,现在则要等更长的时间。N2制程节点的时间表一直都不太确定,台积电在2020年首次确认了该项工艺的研发,根据过往信息,2022年初开始建设配套的晶圆厂,预计2023年中期完成建筑框架,2024年下半年安装生产设备。
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